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エルピーダ、4ギガビットのDRAM開発 サムスンを一歩リード

エルピーダメモリは22日、パソコン向けなどの記憶用半導体「DRAM」で、回路線幅が最小クラスの25ナノ(ナノは10億分の1)メートルとしては世界初となる記憶容量4ギガ(ギガは10億)ビットの製品開発に成功したと発表した。

 微細化により、1枚のウエハーからとれるDRAMの数が従来品より約45%増加。消費電力も動作時で25~30%、待機電力も30~50%低減した。12月から量産を開始し、タブレット端末や次世代ノートパソコン向けに売り込む。

 同社は回路線幅25ナノメートル製品として、8月から2ギガビット品をサンプル出荷しており、さらに大容量の新製品でシェア拡大を狙う考えだ。

 一方、DRAM世界首位の韓国サムスン電子も同日、9月中に20ナノメートル級の2ギガビットDRAMの量産を開始すると発表した。ただ、回路線幅の具体的な数値は明らかにはしておらず、「線幅はエルピーダと同等」(業界関係者)との声もある。4ギガビット品の開発成功によって、エルピーダは最大のライバルに一歩先行したもようだ。


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